12 月 11 日，美国参议员Kirsten Gillibrand在参观了 RIT 的学生探索与发展中心 (SHED)，并正式宣布了两项联邦资助计划。Gillibrand向美国商务部申请拨款 200 万美元，用于更新和扩建 RIT 的半导体制造实验室，该实验室正在建设中。
此外，Gillibrand还认可了 RIT 国家聋人技术学院（NTID）所做的工作，同时提议将其年度联邦拨款增加 3.6%，达到 9590 万美元。
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RIT成为3,400万美元研究中心合作伙伴
RIT与 SUPREME （Superior Energy-efficient Materials and Devices，高级节能材料和设备）中心确立了合作伙伴关系，该研究中心位于康奈尔大学，耗资 3400 万美元，专注于开发节能半导体材料和技术。RIT Kate Gleason工程学院，来自中国的电气工程助理教授Kai Ni将带领团队——包括教师研究人员和学生，一起进行研发工作。
Onsemi赠予500,000美元支持RIT半导体教育和研究
世界领先的智能电源和传感技术公司Onsemi宣布资助罗切斯特理工大学（RIT） Kate Gleason工程学院500,000美元，以支持教育规划和研究，推动当今的半导体行业发展。Onsemi与RIT建立的合作关系将为本科生和研究生提供更多的合作经验和职业发展机会，并为教师和学生提供新的研究项目。
HECAP资助升级RIT洁净室设施
RIT Kate Gleason工程学院从纽约州高等教育匹配补助（HECAP）获得100万美元，用于升级和扩大学院的洁净室设施，适应生物医学技术研究的发展，比如药物输送和芯片实验室设备等。RIT研究人员将利用该设施进行光子学、量子芯片开发、微流体设备、LED、太阳能电池和纳米膜的研究。该设施还将继续支持CMOS处理——即互补式金属氧化物半导体，一种广泛用于工业的芯片制造工艺。处于早期阶段的公司可使用该设施开发新产品。